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J-GLOBAL ID：200902109007700907   整理番号：99A0976966

GaAs(311)B基板に成長したInGaAs-GaAs偏光制御垂直共振器形面発光レーザのレーザ発振特性

Lasing Characteristics of InGaAs-GaAs Polarization Controlled Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Grown on GaAs(311)B Substrate.

著者 (6件)： NISHIYAMA N (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  MIZUTANI A (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  HATORI N (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  ARAI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOYAMA F (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  IGA K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 5  号： 3  ページ： 530-536  発行年： 1999年05月 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の基板上に,酸化物閉込め偏光制御垂直共振器形面発光レーザ...

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： *VCSEL ,...

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分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  成長 ,  InGaAs ,  偏光制御 ,  垂直共振器形面発光レーザ ,  レーザ ,  発振特性