マグネトロン同時スパタリングで作製した非晶質SiC:H膜の性質へのガリウムドーピングの効果

SAITO N; INUI Y; YAMAGUCHI T; NAKAAKI I

文献

J-GLOBAL ID：200902109284335230 整理番号：98A0329791

マグネトロン同時スパタリングで作製した非晶質SiC:H膜の性質へのガリウムドーピングの効果

Effects of gallium doping on the properties of amorphous-SiC:H films prepared by magnetron cosputtering.

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巻： 83 号： 4 ページ： 2067-2071 発行年： 1998年02月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ArとCH₄雰囲気中でSiとGaの同時...

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半導体薄膜 , 非晶質・液体半導体の電気伝導

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