ゾル-ゲル法で作製したすずドープ酸化インジウム薄膜の電子輸送

TAHAR R B H; BAN T; OHYA Y; TAKAHASHI Y

文献

J-GLOBAL ID：200902109473833674 整理番号：98A0329801

ゾル-ゲル法で作製したすずドープ酸化インジウム薄膜の電子輸送

Electronic transport in tin-doped indium oxide thin films prepared by sol-gel technique.

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巻： 83 号： 4 ページ： 2139-2141 発行年： 1998年02月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記ITO薄膜のHall効果測定を行い,キャリア濃度に対する...

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酸化物薄膜 , 半導体結晶の電気伝導

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