文献

J-GLOBAL ID：200902109858724949   整理番号：01A0777329

高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成に関する研究

Low-Temperature Formation of High-k Gate Dielectric MIS Structure.

著者 (5件)： 中尾慎一 (東北大 大学院工学研究科) ,  中川宗克 (東北大 大学院工学研究科) ,  大嶋一郎 (東北大 大学院工学研究科) ,  島田浩行 (東北大 大学院工学研究科) ,  大見忠弘 (東北大 未来科学技術共同研セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 101  号： 108(SDM2001 53-58)  ページ： 1-6  発行年： 2001年06月08日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiO₂/Siに代わる高誘電率ゲート絶...

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (5件)：

• OHMI, Tadahiro. Trends for Future Silicon Technology. Jpn. J. Appl. Phys. 1994, 33, 6747-6755
• MORIMOTO, Akihiro. Interconnect and Substrate Structure for High Speed Giga-Scale Integration. Extended Abstracts of the 2000 International Conference of SSDM. 2000, 418-419
• SEKINE, Katsuyuki. Highly Robust Ultrathin Silicon Nitride Films Grown at Low-Temperature by Microwave-Excitation High-Density Plasma for Giga Scale Integraton. IEEE Trans. on Elec. Devices. 2000, 47, 1370-1374
• SHIMADA, Hiroyuki. Low Resistivity PVD TaNx/Ta/TaNx Stacked Metal Gate CMOS Technology Using Self-Grown bcc-Phased Tantalum on TaNx Buffer Layer. Extended Abstracts of the 2000 International Conference of SSDM. 2000, 460-461
• HIRAYAMA, Masaki. Low-Temperature Growth of High-Integrity Silicon Oxide Films by Oxygen Radical Generated in High-Density Krypton Plasma. Tech. Dig. IEDM'99. 1999, 249

タイトルに関連する用語 (4件)： 高誘電率 ,  ゲート絶縁膜 ,  低温形成 ,  研究