文献

J-GLOBAL ID：200902109908586747   整理番号：99A0609755

0.15μmのKrFリソグラフィーにおけるレジストパターンの粗度に関する研究

Study of Resist Pattern Roughness on 0.15 μm KrF Lithography.

著者 (4件)： WATANABE M (Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  YABE S (Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  MACHIDA S (Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN) ,  TAGUCHI T (Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 12  号： 4  ページ： 643-648  発行年： 1999年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 厚みが0.3~1.0μmの化学増幅ポジティブ型レジストを,K...

シソーラス用語： 化学増幅レジスト ,...
準シソーラス用語： ポジティブ型レジスト

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0609755&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=L0202A") }}

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  感光材料  (ZA03020Q)

物質索引 (2件)： プロピレングリコールメチルエーテルアセタート ,  乳酸エチル

タイトルに関連する用語 (4件)： リソグラフィー ,  レジストパターン ,  粗度 ,  研究