ミクロンメータスケールの設計ルールによるナノスケールの点接触金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの作製

文献

J-GLOBAL ID：200902110043938179 整理番号：99A0326724

Fabrication of Nano-Scale Point Contact Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistors Using Micrometer-Scale Design Rule.

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資料名：
巻： 38 号： 1B ページ： 396-398 発行年： 1999年01月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

シリコンオン絶縁体基板上にSiのナノスケール点接触チャネルを...

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金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

引用文献 (8件)：

(1) K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai and K. Seki: IEEE Trans. Electron Devices 41 (1994) 1628.
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