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J-GLOBAL ID：200902110147027763   整理番号：96A0967259

(775)B GaAs基板上にMBE成長した自己形成型高密度GaAs/(GaAs)_m(AlAs)_n量子細線

Self-organized high-density GaAs/(GaAs)m(AlAs)n QWRs grown on (775)B GaAs substrate by MBE.

著者 (8件)： 東脇正高 (大阪大 基礎工) ,  山本昌則 (大阪大 基礎工) ,  森本靖弘 (関西学院大 理) ,  森本英徳 (大阪大 基礎工) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  安立明 (日新電機) ,  佐野直克 (関西学院大 理) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 57th  号： 0  ページ： 1170  発行年： 1996年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  自己形成 ,  高密度 ,  GaAs ,  AlAs ,  量子細線