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J-GLOBAL ID：200902110232794056   整理番号：99A0378564

金属/酸化物/窒化物/酸化物/シリコン不揮発性メモリ用の酸化物/窒化物/酸化物におけるSi₃N₄中のキャリアトラップの分析

Analysis of Carrier Traps in Si₃N₄ in Oxide/Nitride/Oxide for Metal/Oxide/Nitride/Oxide/Silicon Nonvolatile Memory.

著者 (4件)： AOZASA H (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  FUJIWARA I (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  NAKAMURA A (Sony Corp., Kanagawa, JPN) ,  KOMATSU Y (Sony Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 38  号： 3A  ページ： 1441-1447  発行年： 1999年03月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題不揮発メモリ用のトンネル酸化物/窒化物/酸化物多層におけ...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

引用文献 (19件)：

• (1) E. Suzuki, H. Hiraishi, K. Ishii and Y. Hayashi: IEEE Trans. Electron Devices 30 (1983) 122.
• (2) C.C. Chao and M.H. White: Solid State Electron. 30 (1987) 307.
• (3) S. Minami and Y. Kamigaki: IEEE Trans. Electron Devices 38 (1991) 2519.
• (4) E. Suzuki, H. Hayashi, K. Ishii and T. Tsuchiya: Appl. Phys. Lett. 42 (1982) 608.
• (5) P.C. Anett and B.H. Yun: Appl. Phys. Lett. 26 (1975) 94.

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化物 ,  窒化物 ,  シリコン ,  不揮発性メモリ ,  Si3N4 ,  キャリアトラップ ,  分析