Lowering the Annealing Temperature of Ni/SiC for Ohmic Contacts under N<sub>2</sub> Gas, and Application to a UV Sensor.

文献

J-GLOBAL ID：200902112142099203 整理番号：00A0765344

Lowering the Annealing Temperature of Ni/SiC for Ohmic Contacts under N₂ Gas, and Application to a UV Sensor.

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巻： 338/342 号： Pt.2 ページ： 989-992 発行年： 2000年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：スイス (CHE) 言語：英語 (EN)

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