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J-GLOBAL ID：200902112920901691   整理番号：02A0597199

種々の温度でのSi中への超浅B及びAs注入により生じた損傷及びドーパントプロフィルの中間エネルギーイオン散乱による評価

Characterization by medium energy ion scattering of damage and dopant profiles produced by ultrashallow B and As implants into Si at different temperatures.

著者 (9件)： VAN DEN BERG J A (Univ. Salford, Salford, GBR) ,  ARMOUR D G (Univ. Salford, Salford, GBR) ,  ZHANG S (Univ. Salford, Salford, GBR) ,  WANG T-S (Univ. Sheffield, GBR) ,  CULLIS A G (Univ. Sheffield, GBR) ,  COLLART E H J (Applied Materials UK Ltd., W-Sussex, GBR) ,  GOLDBERG R D (Applied Materials UK Ltd., W-Sussex, GBR) ,  BAILEY P (CLRC Daresbury Lab., Cheshire, GBR) ,  NOAKES T C Q (CLRC Daresbury Lab., Cheshire, GBR)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 20  号： 3  ページ： 974-983  発行年： 2002年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高い深さ分解能の中間エネルギーイオン散乱(MEIS)により,...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： MEIS

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  注入 ,  損傷 ,  エネルギー ,  イオン散乱 ,  評価