文献
J-GLOBAL ID:200902113018785235
整理番号:94A0902948
Photo I-V法によるMOS構造SiO2薄膜中の欠陥の評価
Study of Bulk SiO2 Trapped Charge from Photo I-V Characteristics of MOS Structure.
-
出版者サイト
複写サービスで全文入手
-
高度な検索・分析はJDreamⅢで
{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0902948&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}