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J-GLOBAL ID：200902113102993277   整理番号：01A0700157

SnをドープしたIn₂O₃の電子構造解析

Electronic Structure Analyses of Sn-doped In₂O₃.

著者 (4件)： ODAKA H (Asahi Glass Co. Ltd., Yokohama, JPN) ,  SHIGESATO Y (Aoyama Gakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  MURAKAMI T (Teijin Molecular Simulations Inc., Tokyo, JPN) ,  IWATA S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 5A  ページ： 3231-3235  発行年： 2001年05月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論に基づいた第一原理計算により標記物質の電子構造...

シソーラス用語： *酸化インジウム ,...
準シソーラス用語： 伝導帯

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分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

引用文献 (32件)：

• 1) I. Hamberg and C. G. Granqvist: Phys. Rev. B. 30 (1984) 3240.
• 2) C. G. Granqvist: Materials Science for Solar Energy Conversion Systems (Pergamon Press, Sweden, 1991).
• 3) J. C. C. Fan and B. Goodenough: J. Appl. Phys. 48 (1977) 3524.
• 4) T. L. Barr and Y. L. Liu: J. Phys. Chem. Solids 50 (1989) 657.
• 5) M. Orita, H. Sakai, M. Takeuchi, Y. Yamaguchi, T. Fujimoto, M. Fukumoto and I. Kojima: Hyomen Kagagu 17 (1996) 440 [in Japanese].

タイトルに関連する用語 (4件)： Sn ,  ドープ ,  電子構造 ,  解析