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J-GLOBAL ID：200902113110044276   整理番号：99A0935949

400°CにおけるAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタの優れたピンチオフ特性

Superior Pinch-Off Characteristics at 400°C in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors.

著者 (5件)： MAEDA N (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  SAITOH T (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  TSUBAKI K (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  NISHIDA T (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  KOBAYASHI N (NTT Basic Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 38  号： 9A/B  ページ： L987-L989  発行年： 1999年09月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温でも実用可能なAlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トラン...

シソーラス用語： 窒化物 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (21件)：

• 1) M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. McDermott and J. A. Higgins: IEEE Electron Device Lett. 17 (1996) 325.
• 2) Y. F. Wu, B. P. Keller, S. Keller, D. Kapolnek, P. Kozodoy, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 1438.
• 3) S. C. Binari, J. M. Redwing, G. Kelner and W. Kruppa: Electron. Lett. 33 (1997) 242.
• 4) Q. Chen, J. W. Yang, R. Gaska, M. A. Khan, M. S. Shur, G. J. Sullivan, A. L. Sailor, J. A. Higgings, A. T. Ping and I. Adesida: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 44.
• 5) Y. F. Wu, B. P. Keller, P. Fini, S. Keller, T. J. Jenkins, L. T. Kehias, S. P. Denbaars and U. K. Mishra: IEEE Electron Device Lett. 19 (1998) 50.

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  ピンチオフ