文献

J-GLOBAL ID：200902113245561955   整理番号：94A0012227

MOVPE法によるGaN及びAlGaNの選択成長

Selective growth of GaN and AlGaN by MOVPE method.

著者 (3件)： 加藤芳規 (名古屋大) ,  平松和政 (名古屋大) ,  沢木宣彦 (名古屋大)
資料名： 電気学会電子材料研究会資料  (電気学会研究会資料)
巻： EFM-93  号： 18-26  ページ： 19-26  発行年： 1993年12月03日 
JST資料番号： Z0970A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SiO₂マスクを用いた常圧MOVPE法...

シソーラス用語： 半導体レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： MOVPE ,  GaN ,  AlGaN ,  選択成長