不純物をドープしたMott型絶縁体における組成拡張法による相図の迅速な作成

FUKUMURA T; OHTANI M; KAWASAKI M; OKIMOTO Y; KAGEYAMA T; KOIDA T; HASEGAWA T; TOKURA Y; KOINUMA H

文献

J-GLOBAL ID：200902114615275805 整理番号：01A0176348

不純物をドープしたMott型絶縁体における組成拡張法による相図の迅速な作成

Rapid construction of a phase diagram of doped Mott insulators with a composition-spread approach.

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Applied Physics Letters (Applied Physics Letters)

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巻： 77 号： 21 ページ： 3426-3428 発行年： 2000年11月20日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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