低温成長GaAsエピタキシャル膜の分光特性評価

TANI M; SAKAI K; ABE H; NAKASHIMA S; HARIMA H; HANGYO M; TOKUDA Y; KANAMOTO K; TSUKADA N

文献

J-GLOBAL ID：200902114700199840 整理番号：94A0869306

低温成長GaAsエピタキシャル膜の分光特性評価

Spectroscopic Characterization of Low-Temperature Grown GaAs Epitaxial Films.

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資料名：
巻： 33 号： 9A ページ： 4807-4811 発行年： 1994年09月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

200°Cから300°Cの温度範囲で成長させ,続いてアニールした...

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半導体薄膜

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