研究者

J-GLOBAL ID：200901084196622397 更新日: 2020年05月18日

中島信一

ナカシマシンイチ | Nakashima Shinichi

所属機関・部署：
ホームページURL (1件)： http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=S86123950
競争的資金等の研究課題 (2件)：

1970 - ラマン散乱分光による半導体材料の評価
1970 - Characterization of Semiconductor Materials by Raman Spectroscopy

MISC (20件)：

S Nakashima, T Mitani, M Ninomiya, K Matsumoto. Raman investigation of strain in Si/SiGe heterostructures: Precise determination of the strain-shift coefficient of Si bands. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2006. 99. 5. 053512-1-053512-6
S Nakashima, T Kato, S Nishizawa, T Mitani, H Okumura, T Yamamoto. Deep ultraviolet raman microspectroscopic characterization of polishing-induced surface damage in SiC crystals. JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY. 2006. 153. 4. G319-G323
S Nakashima, T Mitani, J Senzaki, H Okumura, T Yamamoto. Deep ultraviolet Raman scattering characterization of ion-implanted SiC crystals. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2005. 97. 12. 123507-1-123507-8
S Nakashima, T Mitani, J Senzaki, H Okumura, T Yamamoto. Deep ultraviolet Raman scattering characterization of ion-implanted SiC crystals. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2005. 97. 12
GaN/AlN super-lattice structures on vicinal sapphire (0001) substrates grown by rf-MBE. phys. stat. sol. 2005. (c) 2. 7. 2385-2388

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学歴 (4件)：

- 1960 京都大学理学研究科物理学
- 1960 京都大学
- 1958 京都大学理学部物理学科
- 1958 京都大学

学位 (1件)：

理学博士 (京都大学)

経歴 (4件)：

1999 - 2001 宮崎大学工学部教授
2001 - - (独)産業技術総合研究所招聘研究員
1970 - 1999 大阪大学工学部助教授、教授
1960 - 1970 松下電子工業(株)研究所

受賞 (2件)：

1997 - 日本分光学会学術賞
1984 - 応用物理学会論文C賞

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