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J-GLOBAL ID：200902114994070395   整理番号：94A0143126

Ga_0.47In_0.53AsにおけるZn拡散の二次イオン質量分析法による研究

Secondary ion mass spectroscopy study of the diffusion of Zn in Ga_0.47In_0.53As.

著者 (3件)： TAYLOR S J (Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, CNRS, Valbonne, FRA) ,  BEAUMONT B (Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, CNRS, Valbonne, FRA) ,  GUILLAUME J C (Lab. Physique du Solide et Energie Solaire, CNRS, Valbonne, FRA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 8  号： 12  ページ： 2193-2196  発行年： 1993年12月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大気圧有機金属気相エピタクシーで標記Znドープ層を成長すると...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Zn ,  拡散 ,  二次イオン質量分析法 ,  研究