文献
J-GLOBAL ID：200902115121226476
整理番号：00A0912525
極薄SiO2マスクを利用したSi表面への高密度ナノエッチピットアレイの製作
High-Density Nanoetchpit-Array Fabrication on Si Surface Using Ultrathin SiO2 Mask.
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著者 (6件)：
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資料名：
巻：
39
号：
9A
ページ：
5352-5355
発行年：
2000年09月15日
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Si表面に密度1.56T(10
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シソーラス用語：
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準シソーラス用語：
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分類 (1件)：
分類
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試料技術
引用文献 (23件)：
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1) G. Timp et al.: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., Washington D.C., 1999, p. 55.
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2) D. Hisamoto, W.-C. Lee, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, K. Asano, T.-J. King, J. Bokor and C. Hu: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., San Francisco, 1998, p. 1032.
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3) S. Y. Chou, P. R. Krauss and P. J. Renstrom: Science 272 (1996) 85.
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4) S. Y. Chou, P. R. Krauss, W. Zhang, L. Guo and L. Zhuang: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>15</B> (1997) 2897.
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5) C. Y. Chang and S. M. Sze: ULSI Technology (McGraw-Hill, New York, 1996).
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