水平型冷壁CVD反応炉におけるSiCホモエピタクシープロセスの改良

文献

J-GLOBAL ID：200902115950845272 整理番号：99A0459390

Improvements of the SiC Homoepitaxy Process in a Horizontal Cold-Wall CVD Reactor.

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巻： 28 号： 3 ページ： 175-179 発行年： 1999年03月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

4H-SiCの化学的気相成長(CVD)成長プロセスと低濃度ド...

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固体デバイス材料

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