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J-GLOBAL ID：200902115959073094   整理番号：00A0987900

4H-SiC金属-酸化物-半導体キャパシタにおける種々のゲート絶縁材料の電子捕獲と界面状態

Study on electron trapping and interface states of various gate dielectric materials in 4H-SiC metal-oxide-semiconductor capacitors.

著者 (6件)： CHO W-J (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KOSUGI R (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SENZAKI J (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  FUKUDA K (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ARAI K (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI S (Ultra-Low-Loss Power Device Technol. Res. Body and R&D Assoc. Future Electron Devices, Ibaraki, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 13  ページ： 2054-2056  発行年： 2000年09月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC基板上に下記四種類のゲート絶縁膜を形成し,Ar雰...

シソーラス用語： 基板 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 4H-SiC ,  酸化物 ,  キャパシタ ,  ゲート ,  絶縁材料 ,  電子捕獲 ,  界面状態