Czochralski成長後未処理のSi結晶中の“IR散乱欠陥”の透過型電子顕微鏡による観察

文献

J-GLOBAL ID：200902116638642450 整理番号：97A0086699

Transmission Electron Microscope Observation of “IR Scattering Defects” in As-Grown Czochralski Si Crystals.

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巻： 35 号： 11 ページ： 5597-5601 発行年： 1996年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

Czochralski成長させたSi結晶中のIRレーザ散乱ト...

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半導体の格子欠陥

引用文献 (10件)：

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