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J-GLOBAL ID：200902117663880949   整理番号：97A0724707

Si(111)表面とF₂分子反応過程の分子軌道解析

Investigation of F₂ Reaction Process on Si(111) Surface by Molecular Orbital Method.

著者 (3件)： 金島岳 (大阪大) ,  広田貴 (大阪大) ,  奥山雅則 (大阪大)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 52nd  ページ： 118-123  発行年： 1997年06月 
JST資料番号： F0108B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： F₂及びSiのクラスターモデルによる分...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (17件)：

• DAVARI, B. Proc. of The IEEE. 1995, 83, 595
• TOYODA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1987, 26, 835
• INOUE, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1988, 64, 6496
• NAKAMURA, M. Jpn. J. Appl. Phys. 1990, 29, L687
• NAKAMURA, M. Jpn. J. Appl. Phys. 1993, 32, 3125

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  過程 ,  分子軌道 ,  解析