Siに関する電子誘導表面応力緩和

NARUSHIMA T; ITAKURA A N; KAWABE T; KITAJIMA M

文献

J-GLOBAL ID：200902117765925963 整理番号：01A0830263

Siに関する電子誘導表面応力緩和

Electron-stimulated surface stress relaxation of Si.

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資料名：
巻： 79 号： 5 ページ： 605-607 発行年： 2001年07月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Arイオン照射でシリコン(100)表面に導入した原子サイズの...

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半導体の放射線による構造と物性の変化

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