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J-GLOBAL ID：200902117813110586   整理番号：02A0466498

SiOCH系Low-k材料のエッチング機構解析 (2) 構造による加工特性の違いについて

著者 (9件)： 辰巳哲也 (ソニー) ,  白井誠三 (ソニー) ,  長畑和典 (ソニー) ,  南正樹 (ソニー) ,  森田靖 (ソニー) ,  浦田圭介 (ソニー・コンピュータエンタテインメント) ,  佐藤孝幸 (ソニー・コンピュータエンタテインメント) ,  野上洋一 (ソニー・コンピュータエンタテインメント) ,  山根徹也 (ソニー・コンピュータエンタテインメント)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 2  ページ： 756  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,...
準シソーラス用語： エッチングレート

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (4件)： low-k材料 ,  エッチング ,  解析 ,  加工特性