平坦化技術で高めた高効率を有するナノ結晶シリコン電子エミッタ

NISHIGUCHI K; ZHAO X; ODA S

文献

J-GLOBAL ID：200902117851125910 整理番号：02A0735168

平坦化技術で高めた高効率を有するナノ結晶シリコン電子エミッタ

Nanocrystalline silicon electron emitter with a high efficiency enhanced by a planarization technique.

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巻： 92 号： 5 ページ： 2748-2757 発行年： 2002年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

SiH₄を用いたVHFプラズマ蒸着で形...

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熱電子放出,電界放出 , 電子源,イオン源

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