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J-GLOBAL ID：200902118176678758   整理番号：96A0627913

GaNエピタキシャル層からの励起子分子ルミネセンス

Biexciton Luminescence from GaN Epitaxial Layers.

著者 (8件)： OKADA K (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  YAMADA Y (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TAGUCHI T (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  SASAKI F (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TANI T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  NAKAMURA S (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN) ,  SHINOMIYA G (Nichia Chemical Ind., Ltd., Tokushima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 35  号： 6B  ページ： L787-L789  発行年： 1996年06月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア上にMOCVD成長したGaNエピタキシャル層を,フ...

シソーラス用語： 光ルミネセンス ,...

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分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (14件)：

• NAKAMURA, S. Appl.Phys.Lett. 1994, 64, 1687
• NAKAMURA, S. Appl.Phys.Lett. 1995, 67, 1868
• AKASAKI, I. Jpn.J.Appl.Phys. 1995, 34, L1517
• NAKAMURA, S. Jpn.J.Appl.Phys. 1996, 35, L74
• HARRIS, C. I. Appl.Phys.Lett. 1995, 67, 840

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  エピタキシャル層 ,  励起子分子 ,  ルミネセンス