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J-GLOBAL ID：200902118313713744   整理番号：97A0362799

酸化膜生成のために高純度オゾンジェットに曝露したSi(111)7×7の表面感受性第二高調波発生による分析

Analysis by Surface-sensitive Second Harmonic Generation of Si(111) 7×7 Exposed to High-purity Ozone Jet for Oxide Film Formation.

著者 (3件)： NAKAMURA K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KUROKAWA A (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ICHIMURA S (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 25  号： 2  ページ： 88-93  発行年： 1997年02月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の研究によるとオゾンへの曝露により,第二高調波(SH)強...

シソーラス用語： オゾン ,...
準シソーラス用語： SHG【高調波】

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分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (9件)： 酸化膜 ,  高純度 ,  オゾン ,  ジェット ,  曝露 ,  Si ,  感受性 ,  第二高調波発生 ,  分析