高濃度りんドープシリコンの乾燥酸素中での初期酸化現象

KAMIURA Y; HASEGAWA K; SANO Y; MIZOKAWA Y; KAWAMOTO K

文献

J-GLOBAL ID：200902118440740084 整理番号：03A0069733

高濃度りんドープシリコンの乾燥酸素中での初期酸化現象

Initial oxidation phenomena of heavily phosphorus-doped silicon in dry oxygen.

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資料名：
巻： 20 号： 6 ページ： 2187-2191 発行年： 2002年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高濃度PドープSi(100)及び多結晶Siにおける,りん偏析...

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その他の無触媒反応 , 酸化物薄膜

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