三元InGaAsバルク結晶の多成分帯域溶融成長

文献

J-GLOBAL ID：200902118786676978 整理番号：96A0347292

Multicomponent Zone Melting Growth of Ternary InGaAs Bulk Crystal.

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巻： 25 号： 3 ページ： 357-361 発行年： 1996年03月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体の結晶成長

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