高信頼性p-金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の原子層堆積窒化けい素/SiO<sub>2</sub>積層ゲート誘電体

NAKAJIMA A; YOSHIMOTO T; KIDERA T; OBATA K; YOKOYAMA S; SUNAMI H; HIROSE M

文献

J-GLOBAL ID：200902119138945633 整理番号：01A0016988

高信頼性p-金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の原子層堆積窒化けい素/SiO₂積層ゲート誘電体

Atomic-layer-deposited silicon-nitride/SiO₂ stacked gate dielectrics for highly reliable p-metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

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資料名：
巻： 77 号： 18 ページ： 2855-2857 発行年： 2000年10月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

原子層堆積法で熱成長SiO₂上に極めて...

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金属-絶縁体-半導体構造 , トランジスタ

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高信頼性p-金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の原子層堆積窒化けい素/SiO2積層ゲート誘電体

高信頼性p-金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ用の原子層堆積窒化けい素/SiO₂積層ゲート誘電体