文献

J-GLOBAL ID：200902119904105227   整理番号：97A0194299

角度制限型の投影電子ビームリソグラフィー概念証明システムを用いた原型投影電子ビームステッパ散乱の予備的結果

Preliminary results from a prototype projection electron-beam stepper-scattering with angular limitation projection electron beam lithography proof-of-concept system.

著者 (9件)： HARRIOTT L R (Bell Lab., New Jersey) ,  BRADY K (Bell Lab., New Jersey) ,  CONNELLY W F (Bell Lab., New Jersey) ,  DIMARCO R (Bell Lab., New Jersey) ,  HOPKINS L (Bell Lab., New Jersey) ,  KRAUS J S (Bell Lab., New Jersey) ,  PEABODY M L (Bell Lab., New Jersey) ,  WERDER K S (Bell Lab., New Jersey) ,  WINDT D (Bell Lab., New Jersey)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 14  号： 6  ページ： 3825-3828  発行年： 1996年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ステッパ散乱に基づく概念証明投影電子ビームリソグラフィーシス...

シソーラス用語： 電子ビームリソグラフィー ,...
準シソーラス用語： SCALPEL

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=97A0194299&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=E0974A") }}

分類 (2件)： 粒子光学一般  (BD02010J) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 制限 ,  投影 ,  電子ビームリソグラフィー ,  概念 ,  証明 ,  原型 ,  電子ビーム ,  ステッパ ,  散乱