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J-GLOBAL ID：200902122763144313   整理番号：98A0944351

バルク窒化物半導体 昇華法による窒化アルミニウム単結晶育成

Bulk Nitride-Semiconductors. Growth of AlN Single Crystal by the Sublimation Method.

著者 (1件)： 田中素之 (住友電気工業 伊丹研)
資料名： 日本結晶成長学会誌  (Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 25  号： 4  ページ： 163-166  発行年： 1998年 
JST資料番号： F0452B  ISSN： 0385-6275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化アルミニウム単結晶はGaNを用いたレーザダイオードの基板...

シソーラス用語： *昇華 ,...

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分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (31件)：

• 1) AMANO H. Jpn. J. Appl. Phys.. (1989) vol.28, p.L2112.
• 2) NAKAMURA S. J. Appl. Phys.. (1992) vol.71, p.5543.
• 3) NAKAMURA S. Jpn. J. Appl. Phys.. (1992) vol.31, p.139.
• 4) NAKAMURA S. J. Appl. Phys.. (1993) vol.74, p.3911.
• 5) NAKAMURA S. Jpn. J. Appl. Phys.. (1996) vol.35, p.L74-L76.

タイトルに関連する用語 (5件)： バルク ,  窒化物半導体 ,  昇華 ,  窒化アルミニウム ,  単結晶育成