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J-GLOBAL ID：200902123121834495   整理番号：96A0064150

プラズマアシストOMVPEによるGaN成長

Growth of GaN by Plasma-Assisted OMVPE.

著者 (3件)： 徳田崇 (京大 大学院) ,  若原昭浩 (京大 大学院) ,  佐々木昭夫 (京大 大学院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 95  号： 388(CPM95 84-96)  ページ： 25-30  発行年： 1995年11月24日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒素源としてN₂をRFプラズマセルによ...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (9件)：

• 赤碕勇編. III-V族化合物半導体
• MANASEVIT, H. M. J. Electrochem. Soc. 1971, 118, 1864
• AMANO, H. Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 353
• NAKAMURA, S. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1687
• LIN, M. E. J. Appl. Phys. 1993, 74, 5038

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ ,  アシスト ,  OMVPE ,  GaN ,  成長