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J-GLOBAL ID：200902124581770416   整理番号：95A1007956

斜入射MBE法によるGaAs/Al_0.3Ga_0.7As伝導量子細線の作製方法 (1)

Fabrication of GaAs/Al0.3Ga0.7As conductive quantum wires by glancing angle MBE. (1).

著者 (9件)： 冨田信之 (大阪大 基礎工) ,  岸健 (大阪大 基礎工) ,  竹川一紀 (大阪大 基礎工) ,  佐伯達也 (大阪大 基礎工) ,  樋口貴裕 (関西学院大) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  安立明 (日新電機) ,  佐野直克 (関西学院大) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 56th  号： 1  ページ： 185  発行年： 1995年08月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： 斜入射 ,  MBE ,  GaAs ,  伝導 ,  量子細線 ,  作製