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J-GLOBAL ID：200902124958653320   整理番号：96A0228130

差分X線反射率で観測したSiO₂/Si界面での高密度層

High-Density Layer at the SiO₂/Si Interface Observed by Difference X-Ray Reflectivity.

著者 (6件)： AWAJI N (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  OHKUBO S (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  NAKANISHI T (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SUGITA Y (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  TAKASAKI K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  KOMIYA S (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 35  号： 1B  ページ： L67-L70  発行年： 1996年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強力なシンクロトロン放射を利用した高精度の差分X線反射率(D...

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (14件)：

• AWAJI, N. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, L1013
• SUGITA, Y. Ext. Abstr. Int. Conf.1995 Solid State Devices & Materials Jpn. 1995, 836
• OHKUBO, S. Proc.1995 Symp. VLSI Tech. Dig. of Tech. Papers Jpn. 1995, 111
• NAKANISHI, T. 1994 Symp. VLSI Tech. Dig. of Tech. Papers. 1994, 45
• VIDAL, B. Appl. Opt. 1984, 23, 1794

タイトルに関連する用語 (7件)： 差分 ,  X線反射率 ,  観測 ,  SiO2 ,  Si ,  界面 ,  高密度