セシウムを吸着させたp-GaN(0001)表面の陰電子親和力

EYCKELER M; MOENCH W; KAMPEN T U; DIMITROV R; AMBACHER O; STUTZMANN M

文献

J-GLOBAL ID：200902124966119279 整理番号：98A0861008

セシウムを吸着させたp-GaN(0001)表面の陰電子親和力

Negative electron affinity of cesiated p-GaN(0001) surfaces.

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資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

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巻： 16 号： 4 ページ： 2224-2228 発行年： 1998年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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n-及びp-GaN(0001)-1×1表面への150Kにおけ...

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