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J-GLOBAL ID：200902124992412049   整理番号：97A0642177

分光エリプソメトリー(SE)と光透過法によるサファイア上のウルツ鉱型構造GaNの基礎吸収端近傍(0.78~4.77eV)の光学的性質

Optical properties of wurtzite structure GaN on sapphire around fundamental absorption edge (0.78-4.77eV) by spectroscopic ellipsometry and the optical transmission method.

著者 (8件)： YU G (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  WANG G (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  ISHIKAWA H (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  UMENO M (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  SOGA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  EGAWA T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  WATANABE J (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  JIMBO T (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 70  号： 24  ページ： 3209-3211  発行年： 1997年06月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記の方法を用いて,GaN薄膜の屈折率nと吸収係数αを決定し...

シソーラス用語： 屈折率 ,...

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分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (10件)： 分光エリプソメトリー ,  Se ,  光透過 ,  サファイア ,  ウルツ鉱型構造 ,  GaN ,  基礎 ,  吸収端 ,  近傍 ,  光学的性質