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J-GLOBAL ID：200902125033370074   整理番号：00A0185619

シリコン薄膜の融解と再固化におけるエキシマレーザ誘起の温度場

Excimer laser-induced temperature field in melting and resolidification of silicon thin films.

著者 (5件)： HATANO M (Univ. California, California) ,  MOON S (Univ. California, California) ,  LEE M (Univ. California, California) ,  SUZUKI K (Hitachi Ltd., Mobara, JPN) ,  GRIGOROPOULOS C P (Univ. California, California)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 87  号： 1  ページ： 36-43  発行年： 2000年01月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶融石英基板上の厚さ50nmの非晶質Si膜のレーザアニール時...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン薄膜 ,  融解 ,  固化 ,  エキシマレーザ ,  誘起 ,  温度場