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J-GLOBAL ID：200902125574962420   整理番号：98A0027322

SiドープSiO₂薄膜内の欠陥構造(ESR評価)

Defect structures in Si doped SiO2(ESR study).

著者 (6件)： 佐藤慶介 (東海大 工) ,  庄善之 (東海大 工) ,  岩瀬満雄 (東海大 工) ,  和泉富雄 (東海大 工) ,  野崎真次 (電通大) ,  森崎弘 (電通大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 58th  号： 2  ページ： 729  発行年： 1997年10月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ドープ ,  SiO2 ,  薄膜 ,  欠陥構造 ,  ESR ,  評価