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J-GLOBAL ID：200902126487570112   整理番号：93A0196078

Si(100)におけるイオンビーム誘起再結晶の低速陽電子消滅とRutherford後方散乱/チャネリングによる研究

Ion-Beam-Induced Recrystallization in Si(100) Studied with Slow Positron Annihilation and Rutherford Backscattering and Channeling.

著者 (6件)： HAYASHI N (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SUZUKI R (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA M (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  KOBAYASHI N (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  TANIGAWA S (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  MIKADO T (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 70  号： 1  ページ： 45-48  発行年： 1993年01月04日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)基板におけるGeイオン注入により前もって非晶質...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  イオンビーム ,  誘起 ,  再結晶 ,  低速 ,  陽電子消滅 ,  Rutherford後方散乱 ,  チャネリング ,  研究