文献
J-GLOBAL ID：200902126566735518   整理番号：02A0186758

Precipitation-enhanced diffusion of nickel in dislocation-free silicon studied by in-diffusion and annealing processes.

著者 (3件)：
TANAKA S

TANAKA S について

(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)

Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN について

, 
KITAGAWA H

KITAGAWA H について

(Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN)

Fukuoka Inst. Technol., Fukuoka, JPN について

, 
IKARI T

IKARI T について

(Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)

Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN について


資料名：
Physica B. Condensed Matter  (Physica B. Condensed Matter)

Physica B. Condensed Matter について


巻： 308/310  ページ： 427-430  発行年： 2001年12月 
JST資料番号： H0676B  ISSN： 0921-4526  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

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