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J-GLOBAL ID:200902127841689110   整理番号:93A0503792

シリコンからの電界放出の数値シミュレーション

Numerical simulation of field emission from silicon.
著者 (2件):
資料名:
巻: 11  号:ページ: 371-378  発行年: 1993年03月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 1071-1023  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半導体電界放出の電流を評価する通常の方法は半導体内部の電界が...
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分類 (2件):
分類
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熱電子放出,電界放出  ,  その他の固体デバイス 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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