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J-GLOBAL ID:200902128223747432   整理番号:00A0751735

転換電子119Sn Moessbauer分光法とHall効果測定によるすずドープIn2O3膜におけるドナー補償及びキャリア輸送機構の研究

Donor Compensation and Carrier-Transport Mechanisms in Tin-doped In2O3 Films Studied by Means of Conversion Electron 119Sn Moessbauer Spectroscopy and Hall Effect Measurements.
著者 (6件):
資料名:
巻: 39  号: 7A  ページ: 4158-4163  発行年: 2000年07月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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すずドープ酸化インジウム(ITO)薄膜におけるドナー補償とキ...
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分類 (2件):
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半導体結晶の電気伝導  ,  その他の無機化合物のMoessbauer効果 
引用文献 (33件):
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