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J-GLOBAL ID：200902128673048828   整理番号：98A0527378

P-MOSFETsにおけるほう素の侵入を強く抑制する窒化した酸化物ゲート誘電体中のほう素の拡散

Boron Diffusion in Nitrided-Oxide Gate Dielectrics Leading to High Suppression of Boron Penetration in P-MOSFETs.

著者 (6件)： AOYAMA T (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  OHKUBO S (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  TASHIRO H (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  TADA Y (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SUZUKI K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  HORIUCHI K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 3B  ページ： 1244-1250  発行年： 1998年03月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂膜をNO中でアニールして窒化し...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (3件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (18件)：

• 1) H. S. Momose, M. Ono, T. Yoshitomi, T. Ohguro, S. Nakamura, M. Saito and H. Iwai: Int. Electron Device Meet. Tech. Dig. (1994) p. 593.
• 2) G. J. Hu and R. H. Bruce: IEEE Electron Devices 32 (1985) 584.
• 3) J. R. Pfiester, L. C. Parrollo and F. K. Baker: IEEE Electron Device Lett. 11 (1990) 247.
• 4) F. K. Baker, J. R. Pfiester, T. C. Mele, H. Tseng, P. J. Tobin, J. D. Hayden, C. D. Gunderson and L. C. Parrillo: Int. Electron Device Meet. Tech. Dig. (1989) p. 443.
• 5) J. M. Sung, C. Y. Lu, M. L. Chen and S. J. Hillenius: Int. Electron Device Meet. Tech. Dig. (1989) p. 447.

タイトルに関連する用語 (6件)： ほう素 ,  侵入 ,  窒化 ,  酸化物 ,  ゲート誘電体 ,  拡散