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J-GLOBAL ID：200902128874642779   整理番号：01A0542649

有機金属化学蒸着法で作製したc軸配向エピタキシャルBi₄Ti₃O₁₂薄膜の強誘電体特性の膜厚依存性

Film thickness dependence of ferroelectric properties of c-axis-oriented epitaxial Bi₄Ti₃O₁₂ thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition.

著者 (4件)： WATANABE T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SAIKI A (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SAITO K (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  FUNAKUBO H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 89  号： 7  ページ： 3934-3938  発行年： 2001年04月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 膜厚が35~400nmの標記薄膜を(100)CaRuO<su...

シソーラス用語： 強誘電体 ,...
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学蒸着法 ,  作製 ,  c軸配向 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  強誘電体 ,  膜厚依存性