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J-GLOBAL ID：200902129260208270   整理番号：00A0547265

Si(111)基板上の選択領域成長GaNピラミッドにおける欠陥構造

Defect structure in selective area growth GaN pyramid on (111)Si substrate.

著者 (5件)： TANAKA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KAWAGUCHI Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAWAKI N (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIBINO M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIRAMATSU K (Mie Univ., Mie, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 19  ページ： 2701-2703  発行年： 2000年05月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドット構造を持つSiO₂マスクをつけた...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： MOVPE

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  領域成長 ,  GaN ,  ピラミッド ,  欠陥構造