短チャネル効果を完全に抑え込んだサブ0.1μmMOSFETのシミュレーション

TANAKA J; TOYABE T; IHARA S; KIMURA S; NODA H; ITOH K

文献

J-GLOBAL ID：200902130135626956 整理番号：93A0753830

短チャネル効果を完全に抑え込んだサブ0.1μmMOSFETのシミュレーション

Simulation of Sub-0.1-μm MOSFET’s with Completely Suppressed Short-Channel Effect.

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資料名：
巻： 14 号： 8 ページ： 396-399 発行年： 1993年08月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ノンプレーナ素子のシミュレータCADDETH-NPを使ってサ...

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