(775)B GaAs基板上にMBE成長した自己形成型高密度InGaAs/(GaAs)<sub>4</sub>(AlAs)<sub>2</sub>歪み量子細線

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J-GLOBAL ID：200902130555890640 整理番号：98A0046086

(775)B GaAs基板上にMBE成長した自己形成型高密度InGaAs/(GaAs)₄(AlAs)₂歪み量子細線

Self-organized high-density InGaAs/(GaAs)4(AlAs)2 strained QWRs grown on (775)B GaAs substrates by MBE.

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資料名：
巻： 58th 号： 3 ページ： 1342 発行年： 1997年10月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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