文献
J-GLOBAL ID:200902130555890640
整理番号:98A0046086
(775)B GaAs基板上にMBE成長した自己形成型高密度InGaAs/(GaAs)4(AlAs)2歪み量子細線
Self-organized high-density InGaAs/(GaAs)4(AlAs)2 strained QWRs grown on (775)B GaAs substrates by MBE.
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