文献

J-GLOBAL ID：200902133693084581   整理番号：96A0576099

ホモエピタキシアルに成長したダイヤモンド(001)膜に生成したShottky障壁の電気的特性

Electrical properties of a Schottky barrier formed on a homoepitaxially grown diamond (001) film.

著者 (5件)： KIYOTA H (Kyushu Tokai Univ., Kumamoto, JPN) ,  OKUSHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ANDO T (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  KAMO M (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  SATO Y (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 5  号： 6/8  ページ： 718-722  発行年： 1996年05月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマCVDで高圧合成ダイヤモンド結晶にホモエピタキシアル...

シソーラス用語： エピタクシー ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0576099&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0498A") }}

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホモ ,  エピタキシアル ,  成長 ,  ダイヤモンド ,  障壁 ,  電気的特性